中国发展改革报社记者  张守营

2026年初秋，厦门。三安光电大楼窗外海天一色，但这家化合物半导体龙头企业刚刚经历的风雨，远非窗外的平静可比。

上市以来首次年度亏损、碳化硅行业价格战白热化——这已是三安光电26年历程中的第五个产业起落周期。然而，与之并行的另一组事实同样醒目：安意法8英寸碳化硅产线通线，规划年产48万片；400G/800G高速光芯片批量出货，1.6T光芯片送样验证；Micro LED进入AR眼镜小批量验证阶段。

“至暗时刻”与“战略突破”并存——这不仅是三安光电的写照，更是整个中国化合物半导体行业正在经历的生存状态。

带着对产业周期、国产替代进程和民营科技企业生存逻辑的追问，中国发展改革报社记者与三安光电董事、副总经理林志东展开近两个小时的深度对话，试图厘清：当行业从政策驱动转向市场驱动，当全球供应链从效率优先转向安全优先，中国化合物半导体企业究竟在经历什么？民营龙头企业又该如何兼顾国家战略使命与自身造血能力？

三安光电董事、副总经理林志东。卜敏慧摄

第一问：从钢铁到芯片——跨越的不是行业，是认知

记者：三安从钢铁贸易起步，2000年转型LED，后来又拓展到微波射频、电力电子、光技术。外人看是三次跨界，但您似乎并不认同“跨界”这个说法。

林志东：从钢铁到LED，跨度确实最大。一火车皮钢铁价值一千多万元，而一箱子晶圆可能也是这个价格——但这是两个完全不同的世界。最大的瓶颈不是技术，而是意识和观念的转变。原来的领导班子很多在钢铁行业干了一辈子，要突然跳出舒适区，去搞听都没听过的“半导体”，这个转变最难。

这个过程中，创始人给企业注入的底色很重要——对科学、对先进技术的敬畏，以及持续学习的能力。从2000年到2008年上市，八年的坚持和投入，没有这种敢为人先、拼搏奋斗的精神，走不到今天。

但从LED再延伸到微波射频、电力电子、光技术，就好多了。外人看好像跨得很远，其实在技术源头上是同一条线。化合物半导体是由两种或两种以上元素以确定的原子配比形成的半导体材料，核心工艺是外延生长。三安做了二十多年LED外延，积累的技术人才、供应链和管理经验，都可以平移到碳化硅、磷化铟、砷化镓领域。我们现在研发团队超过2800人，累计专利（含在申请）超过4700件，这些才是跨界真正的底气。

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从钢铁到芯片的跨度，本质上是“资源型思维”向“技术型思维”的跃迁。三安完成了这个跃迁，但国内许多跨界进入半导体的企业未必做到了。认知重构的艰难，往往比技术突破更隐蔽、更致命。

第二问：LED——不仅是“基本盘”，更是“技术母盘”

记者：2025年，三安LED外延芯片收入58.62亿元，占总营收约三分之一；2026年上半年，LED芯片业务营收31.03亿元，同比增长11.81%。LED仍是绝对主力，但外界普遍认为这是“传统业务”。您怎么看？

林志东：三安光电以LED外延及芯片制造为业务基石，长期技术演进的核心指标是光效，即电光转换效率。量产光效已从发展初期约45 lm/W，提升至当前部分高端规格250 lm/W以上，累计提升逾五倍。基于光效的显著提升，LED应用已广泛覆盖消费电子、通用照明及汽车前照灯等领域。

在战略规划上，公司明确实施产品结构升级战略：压缩通用照明等低附加值产品的产能比重，重点提升Mini/Micro LED、车载LED及红外/紫外等高附加值特种应用产品的占比。

Mini LED方面，公司已成为国内外主流电视及显示器品牌Mini RGB背光方案的核心供应商。Micro LED方面，MiP产品已进入批量供货阶段，商用显示大屏市场份额稳步扩大。车载LED方面，子公司安瑞光电持续获得国内主流车企及海外豪华品牌的前装定点项目。

记者：您多次提到Micro LED是下一代显示技术，但量产成本至今仍是瓶颈。

林志东：对。Micro LED现在面临的不是技术能否实现的问题，而是成本能否下降到大规模商用的临界点。在AR眼镜方向，我们与多家海内外一线终端厂商深度合作，产品已从技术验证迈向小批量验证阶段，各项性能指标处于国际第一梯队水平。碳化硅光学衬底也已向客户小批量交付，支撑AR光学系统。未来两三年内，Micro LED应该会快速成长并且大规模量产。

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LED的“高端化”不仅是产品结构的升级，更是一种现金流管理策略。在化合物集成电路业务尚未大规模盈利的当下，LED高端产品贡献的每一分利润，都在为碳化硅、光芯片的前沿研发“输血”。这种“成熟业务反哺前沿业务”的逻辑，是理解三安战略布局的一把钥匙。但LED高端化的空间并非无限，三安的长期估值逻辑，终究要由碳化硅和光芯片来回答。

第三问：全产业链——壁垒的另一面是代价

记者：三安最显著的特点是“全产业链”——从原材料做到衬底，再到外延、芯片，覆盖氮化镓、砷化镓、磷化铟、碳化硅四大材料体系。这在今天的竞争格局中意味着什么？

林志东：意味着壁垒。国内由光电起家、再辐射到微波射频、电力电子、光技术的企业，目前还没有第二家。我们坚持先做深、再做宽的发展路线。壁垒有四重：一是供应链安全，关键材料、核心工艺自主可控；二是工艺良率与成本，全链条管控相比外购上游材料，综合成本具备15%到20%的优势；三是技术复用，四大材料体系共享MOCVD设备与工艺研发平台，研发投入可在多赛道间分摊；四是时间与资本门槛，六大制造基地的建设需要持续多年的大额投入，新进入者的追赶周期长达5-8年。

位于福建省厦门市的三安光电总部大楼。三安光电供图

记者：但壁垒的另一面，恐怕就是资产和负担偏“重”。

林志东：对，有点重的，但这是化合物半导体的行业特性。你不能只做芯片不做外延，也不能只做外延不做衬底——每一道工序都决定最终产品的品质。出了问题，你得知道是哪个环节的问题。全链条掌握在自己手里，才能快速迭代。

当然，全产业链意味着重资产投入。行业下行周期里，产能利用率不足，设备折旧对利润的侵蚀就特别大，最近利润波动大就是这个原因。我们正在做几件事应对：推动产品结构向高端化发展；以数字化提升研发效率；逆周期加大研发投入——低谷期恰恰是练内功的时候。

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全产业链模式在行业上行期是“放大器”，在下行期却成了“承压器”。2025年的年度亏损，正是重资产模式在行业周期谷底的必然代价。但值得注意的一个细节是：三安2025年归母净利润亏损3.53亿元的同时，经营活动现金流为18.81亿元。亏损的是账面利润，产生的是真实现金。这意味着，全产业链的重资产投入并未伤及企业的造血能力——只要现金流健康，“战略性亏损”就有其合理性。

这引出一个更深层的问题：对于化合物半导体这类长周期赛道，我们的金融体系和政策环境，是否做好了容忍企业“战略性亏损”的准备？区分“烧钱”与“造血”之间的本质差异，是资本市场成熟的第一步。

第四问：碳化硅与安意法——“不是换技术，而是换时间”

记者：安意法项目于2025年2月通线，是国内首条8英寸车规级碳化硅功率芯片产线，总投资约230亿元，规划达产后年产48万片。这个项目是怎么促成的？

林志东：缘分。2014年我们在瑞典收购了一家做碳化硅衬底的公司，后来基于企业研发布局的调整，卖给了意法半导体。通过这个过程，双方互相认识了。后来意法半导体希望在中国形成双系统供应，基于此前的信任，双方结盟合资。对它来讲是供应链保障，对我们来讲是一个战略机会。

记者：有评论说这是“以市场换技术”，您认同吗？

林志东：不是换技术，是换时间。意法半导体花了二十年积累的东西，我们从头做可能要十年。合资让我们用更短的时间走完这段路。时间，是这个行业最贵的东西。

目前安意法产线已通线，现有产能2000片/周，累计39款产品送样验证，4款产品完成客户验证、进入风险量产阶段。配套的重庆三安负责8英寸碳化硅衬底供给，当前衬底年产能6万片，正持续扩产以匹配合资厂需求。自有湖南三安6英寸碳化硅配套产能为1.6万片/月，8英寸配套产能1000片/月，已完成650V到2000V全电压等级二极管、MOSFET的产品矩阵建设。

记者：碳化硅市场竞争激烈，价格战打得厉害。您判断这个周期还要持续多久？

林志东：在意法半导体推动碳化硅进入新能源汽车应用之后，整个市场对碳化硅的信任度和热度被点燃。全世界包括中国都投入了产能扩张，短期确实有所过剩。但到今年，AI数据中心、储能和逆变器带来的新需求正在重新拉动回暖：新能源汽车800V平台渗透率持续上行，光伏储能工作电压提升到1200V甚至更高，碳化硅成为高压平台的核心器件；AI数据中心持续追求高能效，服务器电源从硅基器件转向碳化硅是明确趋势。从需求爆发到供给过剩，再到新需求驱动第二波增长，这是正常的产业周期。

三安的定位很明确：聚焦碳化硅衬底和芯片，与上下游合作服务终端客户。目前碳化硅器件已批量供货阳光电源、锦浪等光伏储能头部厂商，以及维谛、伟创力、长城电源等数据中心电源客户，2025年相关供货量同比增长80%。车载OBC、空调压缩机MOSFET已向十余家Tier1及整车厂送样或小批量出货，主驱MOSFET持续迭代验证。

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碳化硅赛道正经历从“蓝海”到“红海”的剧烈切换。在这个节点上，三安选择两条腿走路——合资产线绑定全球大客户，自主产线深耕国内市场。据Yole预测，2027年全球碳化硅功率器件市场规模有望突破60亿美元。但与此同时，仅国内已披露的碳化硅衬底规划产能就已超过全球需求的数倍。供需错配的格局下，最终胜出的不是产能最大的，而是良率最高、成本最优、客户最稳的。价格战的意义，恰恰在于加速淘汰那些“只有产能、没有技术”的投机者。

行业追问

合资换来的“时间”到底值多少钱？如果意法半导体用二十年积累的东西，合资让三安用五年走完，那么这十五年的时间差，意味着多少代际优势的跨越？对后来者而言，时间，真的是买不来的。

第五问：光芯片与AI——“无处不AI”背后的隐忧

记者：AI算力爆发对光芯片的需求拉动很大。三安400G光芯片已批量出货，800G实现小批量供货，1.6T已向头部客户送样验证。这个节奏是如何把握的？

林志东：光通信这个赛道，我们布局了很多年。AI是近两年才爆发的，但数据中心的带宽需求一直在涨——400G、800G、1.6T，这条曲线是看得见的。等AI火了再去做，来不及。

技术路线上，我们以磷化铟外延片为主线，已实现6英寸磷化铟外延片规模化量产，当前外延产能约6000片/月，处于国内领先水平。

记者：行业里也有一种担忧——AI拉动的高速光芯片需求，会不会在2027年前后也出现产能过剩？

林志东：任何高速增长的赛道都会经历这个阶段，关键是你能不能留在牌桌上。高端光芯片的壁垒不在于“能做出来”，而在于“能量产且保持高良率”。国内高端光芯片的进口占比长期处于高位，国产替代空间巨大。台积电高级副总裁侯永清近日在SEMICON Taiwan2026上表示，AI对芯片产能的需求“庞大且迫切”，公司正同步推进全球近20座晶圆厂的建设，但产能扩张速度仍难以完全跟上市场需求。晶圆代工从单厂建设走向全球多点并行，恰恰说明AI带来的需求缺口是结构性的。但需求的确定性是行业性的，订单的归属却是个体性的，最终仍取决于良率、成本与客户认证的硬功夫。

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“无处不AI”是对的，但“无处不卷”也是真的。光芯片赛道正在重演碳化硅两年前的故事——需求爆发、资本涌入、产能扩张、价格承压。值得关注的一个结构性差异：碳化硅的下游是车厂和能源巨头，认证周期长、客户集中度高、价格谈判力强；光芯片的下游是光模块厂商，市场分散、迭代速度快。这意味着光芯片的“内卷”可能来得更快、去得也更早——胜出的关键不在于防守，而在于持续的迭代速度。

行业追问

据公开数据，25G以上高速激光器芯片的国产化率不足10%，EML和DFB等高端品类长期被Lumentum、II-VI、博通等海外厂商垄断。国产替代的窗口虽大，但“替代”的前提是“做得出、量得稳、卖得动”。从样品到规模，中间隔着良率、可靠性、一致性三道关。哪家企业率先打通这三关，哪家企业就拿到了下一个周期的门票。

第六问：射频与滤波器——低调的“连接件”

记者：射频集成电路这块，三安现在的市场地位如何？外界关注不多。

林志东：这块业务始于2014年的投入，借助了LED业务的管理人才、供应链和研发资源。现在，三安已成为全球砷化镓代工领域的重要企业，射频芯片实现规模化代工与出货，服务手机终端、基站、物联网、商业卫星等客户，国内很多手机射频芯片设计公司都在我们这里流片。滤波器方面，我们是国内为数不多能够为民用通信提供“滤波器+射频芯片”完整解决方案的企业之一。这块业务已经完成商业闭环。

氮化镓射频芯片薄膜工艺生产车间。三安光电供图

记者：6G和低轨卫星通信方面，三安有布局吗？

林志东：6G的重要方向之一，是把网络覆盖延伸到地面基站难以触达的广域空间，低轨卫星互联网因此成为关键基础设施。海外的星链计划已验证了商业闭环，国内产业力量也在加快推进。我们现在积极参与国内低轨卫星互联网的布局，整体节奏分两步：第一步是低轨卫星组网铺设网络，第二步是移动终端直连。我们在射频功放、低噪声放大器等器件上都在积极储备，砷化镓多结电池片已批量供应商业航天客户。

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射频是三安四大业务板块中“最低调”的一个，却恰恰是商业化最成熟的一个。但射频板块面临一个结构性约束：代工模式的毛利率天然低于IDM模式。三安在砷化镓代工领域面临稳懋、宏捷科等台湾厂商的激烈竞争，在滤波器领域则要应对村田、Qorvo等国际巨头的专利壁垒。射频板块的角色，更多是为三安提供稳定的现金流和工艺平台，而非驱动高增长的故事引擎。

第七问：第四代半导体——“不能等明天来了再做”

记者：三安在氧化镓、金刚石等第四代半导体材料上也有布局。在第三代半导体尚未大规模盈利的当下，这种前瞻布局的逻辑是什么？

林志东：做企业不能只看明天，要看十年后。碳化硅和氮化镓是今天的事，第四代半导体是明天的事。如果等到明天来了再做，就晚了。我们的布局逻辑是立足现有的化合物半导体制造工艺底座，产学研协同，提前进行技术储备，但不急于大规模商业化。

氧化镓方面，我们联合西安电子科技大学等科研机构完成同质外延关键技术突破，实现2英寸高质量外延层，器件击穿电压达到1420V。金刚石热沉基板面向AI大功率芯片散热场景实现小批量供货。

有券商研报指出，AI芯片功耗在三年间已增长至原先的近三倍，传统散热方案逼近物理极限；金刚石的热导率超过铜的五倍，已被视为AI芯片封装热管理的关键升级方向。对三安而言，在材料端提前卡位，意味着当散热升级从样品走向规模时，可以把化合物半导体的工艺与供应链能力平移过来，而不是临时追赶。

记者：第四代半导体会替代第三代吗？

林志东：不会是完全替代。从第一代硅，到IGBT，再到碳化硅，它们一直是互补关系，不是替代关系。碳化硅比较贵，可能用在25万元以上的新能源汽车上；中端车用IGBT，低端用硅基方案。但随着碳化硅规模化量产、成本下降，它会向下渗透，但无法完全取代。我们保持第三代、第四代的技术梯队布局，一旦下游应用市场成熟，可以快速实现技术平移、产线转化。

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资本市场的短周期估值逻辑，与半导体产业的长周期发展规律之间，存在结构性错配。国际半导体巨头通常保持10—15年的技术预研周期，而国内资本市场对一家企业的估值耐心往往不超过3—5年。能否建立更包容“长周期、零回报”基础研究的评价体系与融资机制，是决定中国能否诞生世界级半导体企业的制度性命题。

行业追问

氧化镓功率器件的大规模商用可能在2030年以后，金刚石热沉的大规模应用可能在2028年前后。这意味着三安的第四代半导体布局，至少需要5—10年的耐心投入。在资本市场的季度考核压力下，这种“用今天的利润养明天的技术”的模式能走多远，取决于掌舵者的战略定力，也取决于股东的长期主义。

第八问：穿越周期——26年的五个起落

记者：回顾三安26年，经历了几个周期？

林志东：在LED行业里，我们至少经历了五个起落周期——第一个周期（2000—2003年）：从钢铁跨界LED，技术上从无到有，市场从零开拓；第二个周期（2008—2009年）：全球金融危机冲击出口市场，LED行业需求骤降，三安刚上市即面临严峻考验；第三个周期（2011—2013年）：LED产能严重过剩，全行业价格战，大批企业出局，三安凭借规模优势和技术积累穿越谷底；第四个周期（2018—2019年）：贸易摩擦叠加LED行业增速放缓，三安开始大规模布局化合物半导体新赛道；第五个周期（2023—2025年）：碳化硅产能集中释放、价格战白热化，叠加LED传统业务需求疲弱，三安上市以来首次出现归母净利润亏损。

将每一次成功经验总结下来，硬道理非常清晰：第一，经营现金流必须严格把关；第二，低谷期反而要加大研发投入，用更好、更有竞争力的产品迎接下一波增长；第三，苦练内功——提升内部管理效率，加强人才建设。

记者：作为80后一代，您怎么看自己的角色？

林志东：继往开来。继承过去好的企业文化——对技术的敬畏、对未来的求知欲和学习能力，这是永远不变的底色。“开来”，就是希望更加开放包容——吸收更多的人才、更多的技术、更多不同的理念，在这个底盘上集大成，继续往前走。

记者观察

观察半导体这个产业，它从来不是一条平滑向上的曲线。穿越周期，一半靠企业自己：把现金流看紧，在低谷还敢投研发，日复一日练内功；另一半，看外部环境能不能容得下“用今天的利润养明天的技术”。很多时候，耐心也是一种竞争力。